Transistor Mosfet Sub85n10-10 Canal N 100v 85a To-263

Información del producto

Designador de tipo: SUB85N10-10 Tipo de transistor: MOSFET Tipo de canal de control: canal N Disipación de potencia máxima (Pd): 250 W Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 100 V Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 3 V Corriente máxima de drenaje |Id|: 85 A Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C Carga total de puerta (Qg): 105 nC Tiempo de subida (tr): 90 nS Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 665 pF Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,0105 ohmios Paquete: TO-263 LA COMPRA INCLUYE: 1 X TRANISTOR MOSFET SUB85N10-10 100V 85A TO-263